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產(chǎn)品名稱:
赫爾納供應(yīng)美國(guó)Xsis晶體振蕩器CR55/U
產(chǎn)品時(shí)間:
2023-07-18
產(chǎn)品型號(hào):
CR61/U
產(chǎn)品報(bào)價(jià):
2360
產(chǎn)品特點(diǎn):
赫爾納供應(yīng)美國(guó)Xsis晶體振蕩器CR55/U 3.7.4微電路模具應(yīng)來自通過 MIL-PRF-38534級(jí) K 級(jí)元件評(píng)定的批次。Xsis晶體振蕩器此外,電離輻射測(cè)試應(yīng)在本文第3.7.5段解釋的振蕩器水平上進(jìn)行。
  CR61/U赫爾納供應(yīng)美國(guó)Xsis晶體振蕩器CR55/U的詳細(xì)資料:

赫爾納供應(yīng)美國(guó)Xsis晶體振蕩器CR55/U

赫爾納供應(yīng)美國(guó)Xsis晶體振蕩器CR55/U

赫爾納貿(mào)易優(yōu)勢(shì)供應(yīng),美國(guó)總部直接采購,近30年進(jìn)口工業(yè)品經(jīng)驗(yàn),原裝產(chǎn)品,支持選型,為您提供一對(duì)一好的解決方案:貨期穩(wěn)定,快速報(bào)價(jià),價(jià)格優(yōu),在中國(guó)設(shè)有8大辦事處提供相關(guān)售后服務(wù).

公司簡(jiǎn)介:

XSIS電子公司成立于19784n。在XIS,我們門設(shè)計(jì)和制造晶體振蕩器和晶體單位,用于空間,工業(yè),電信和超高溫井下應(yīng)用。

Xsis晶體振蕩器主要產(chǎn)品:

Xsis晶體振蕩器

Xsis晶體振蕩器產(chǎn)品型號(hào):

CR55/U ,  CR60/U ,  CR61/U ,  CR64/U ,  CR67/U ,  CR69/U

Xsis晶體振蕩器產(chǎn)品特點(diǎn):

包裝:90%Al2O3陶瓷,

密封:密封-抗氣密性

焊接重量:0.15Gms

典型,0.2Gms.

熱阻,連接到外殼(0C)38 C/瓦特焊料回流

溫度/時(shí)間:260°℃大值為10秒。

Xsis晶體振蕩器產(chǎn)品應(yīng)用:

Xsis晶體振蕩器溫晶體振蕩器XIS電子提供高晶體振蕩器在高溫應(yīng)用。XIS電子公司設(shè)計(jì)并加工了這些振蕩器,以便在-55℃至230℃的擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)工作。高溫材料和經(jīng)過驗(yàn)證的工藝被用來在溫度下提供。

Xsis晶體振蕩器用于老化的 PDA: 除非另有說明,用于老化的 PDA 應(yīng)為2% 1個(gè)振蕩器,以大者為準(zhǔn),適用于 + 23 °C + 25 °C 的靜態(tài)測(cè)試。此外,臺(tái)達(dá)計(jì)算應(yīng)在老化后執(zhí)行,并應(yīng)計(jì)入 PDAXsis晶體振蕩器測(cè)量值的三角洲計(jì)算應(yīng)記錄。超過規(guī)定的增量限值的部件將被拒絕并計(jì)入 PDA。

XIS電子制造的高溫晶體振蕩器是為高溫和環(huán)境的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,,井下鉆井測(cè)量,噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)傳感器,高溫航空電子學(xué),高溫耦合高沖擊和振動(dòng)等。通過使用內(nèi)部有工藝制造的精密石英晶體,41年以上的軍事(QLS)和空間應(yīng)用晶體振蕩器制造經(jīng)驗(yàn)中開發(fā)和改進(jìn),實(shí)現(xiàn)了的良好頻率老化特性。在操作溫度范圍內(nèi)100%測(cè)試振蕩器。

Xsis晶體振蕩器總劑量輻射: 按照 MIL-STD-883方法1019,混合微電路晶體振蕩器在暴露于100克拉德的吸收劑量輻射后,應(yīng)能第3.6段的電氣特性。包裝: 陶瓷,90% 分鐘。AL2O3.,重量: 0.4 Gms 大。熱阻,θJC: 40 oC/瓦。完成: 1.27微米小鍍金鎳板。用 Sn60/Pb40釬料 perMIL-PRF-55310進(jìn)行熱釬料鍍錫是可選的,但需要額外的成本?;亓骱附?/span>: 260 °C 下回流焊接10秒鐘不會(huì)降低性能。3.3密封性: Xsis晶體振蕩器電阻焊接,密封,泄漏率1(10)-8 atm-cc/s 大。3.4標(biāo)記: 零件至少應(yīng)標(biāo)記 Xsis P/N、 Xsis 籠代碼、 ESD 符號(hào)、日期代碼和序列號(hào)。3.5大額定值: 除非另有規(guī)定,大額定值應(yīng)如下: 電源電壓 -0.5+ 4.5 VDCOperating 空氣溫度范圍 -55 oC + 125 oC 儲(chǔ)存溫度 -55 oC + 125 oC3.6Xsis晶體振蕩器電氣特性: 見表 I3.7雜化元素: 3.7.1石英晶體: 應(yīng)使用高級(jí)培養(yǎng)石英晶體。作為一種選擇,Xsis 將使用額外收費(fèi)的優(yōu)質(zhì) Q 掃頻石英晶體Xsis晶體振蕩器晶體元件的評(píng)估應(yīng)符合 MIL-PRF-55310。3.7.2水晶安裝: 水晶元件應(yīng)安裝在4點(diǎn),以便在本文規(guī)定的環(huán)境下提供足的堅(jiān)固性和性能。3.7.3被動(dòng)元件: 建立可靠性(ER) QPL 元件,應(yīng)使用 R 小故障,或根據(jù) MIL-PRF-55310,S 級(jí),或 MIL-PRF-38534,附錄 C,K 級(jí)適用的元件批量評(píng)估。3.7.4微電路模具應(yīng)來自通過 MIL-PRF-38534級(jí) K 級(jí)元件評(píng)定的批次。Xsis晶體振蕩器此外,電離輻射測(cè)試應(yīng)在本文第3.7.5段解釋的振蕩器水平上進(jìn)行。


產(chǎn)品相關(guān)關(guān)鍵字: 振蕩器 工業(yè) 工廠 不銹鋼 銑床
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